首先給出了陽離子交換膜濃差極化物理模型,然后利用該模型分析了電滲析設備制備硅溶膠過程中Um-J曲線的特性,闡明了利用Um-J曲線確定濃差極化電流密度的理論依據,闡述了Um-J曲線上兩個拐點的理化本質,其中的拐點2所對應的電流密度是在該實驗條件下(XSio2=4%,θ=50℃,cNa+=0.118 9 mol·L-1)的極限電流密度,并根據Jlim和cNa+的關系,計算出電滲析設備制備硅溶膠過程中的膜邊界層厚度δ為7.68×10-6m,同時得出了電滲析設備應在極限電流密度下運行這一結論.